财经风云--大摩:新一轮内存“超级周期”,2025年将出现“前所未有”的供需失衡

caijing 发布于 2024-6-10 20:08:00

 

 大摩:新一轮内存“超级周期”,2025年将出现“前所未有”的供需失衡
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赵颖


大摩预计,到2025年,HBM的供应不足率为-11%,整个DRAM市场的供应不足率为-23%。加之过去两年缺乏资本支出,内存行业的定价权优势将进一步凸显。
人工智能需求推动,叠加过去两年资本支出不足,内存市场正迎来前所未有的“超级周期”。

摩根士丹利在周四的报告中指出,存储将出现“前所未有”的供需失衡,内存的价格也水涨船高:

人工智能的快速发展将导致DRAM和HBM的供需失衡,预计2025年HBM的供应不足率为-11%,整个DRAM市场的供应不足率为-23%。特别是HBM的需求量将大幅增加,可能占总DRAM供应的30%。

由于DRAM供应不足,加之过去两年的资本支出不足,没有新的晶圆厂或大规模晶圆可用,这将为内存市场超级周期提供了动力。

内存的价格也将水涨船高,预计商品存储产品的价格将在2024年每季度以两位数速度上涨,2025年HBM的价格将更高,服务器DRAM和超高密度QLC固态硬盘将引领价格上涨。

进一步来看,在内存市场中的战略地位的公司SK海力士和三星市场份额将进一步增长:

将内存行业2024-25年的每股收益预测提高了24-82%,较最新的预期共识高出51-54%;

其中,SK海力士将独占鳌头,我们认为市场共识对其市场份额增长潜力低估了。预计其在2025年将占据HBM市场的最大份额,利润率也将大幅提高。

值得一提的是,客户的行为已经发生了变化,他们现在更加重视确保能够获得足够的内存供应,而不是仅仅关注价格。由于供应的不确定性,客户愿意为确保供应支付更高的价格

这个存储周期有所不同
大摩指出,从历史来看,内存市场周期性明显,周期整体路径相似。一般是资本投资周期较长,扩展产能需要2-3个季度,而新工厂建设需要2-3年。

内存行业通常每两年会出现一次短暂的供需平衡,这种周期性是由半导体制造业的长期资本投资周期驱动的,产能扩张周期中产能的扩张通常需要2-3个季度,而新晶圆厂的建设和投产则需要2-3年。

上行周期原因多样,包括互联网、云计算、新冠病毒和人工智能等,这些因素使得公司将周期视为新现象,但新的产能往往在行业最不需要的时候上线。

但这个周期有所不同,大摩指出:

与过去相比,当前周期中行业的资本支出远低于维持产能所需的水平,自2022年第三季度以来产能一直在下降。

这种投资的缺乏正发生在内存供应链迅速转移到HBM的之际,HBM每比特所需的晶圆容量是普通DRAM的两倍,其生产良率也较低。

大摩预计,到2025年,HBM市场份额占比将增长,整体市场供应不足将更明显:

预计到2025年,HBM总可寻址市场(TAM)预计将显著增长,从2025年的370亿美元增长到2027年的700亿美元,市场份额将占整个DRAM市场的30%以上,混合价格将上涨10%以上。

从2025年开始,智能手机和个人电脑的人工智能升级周期可能需要额外的内存产能,预计市场届时将面临严重的供应短缺,HBM的供应不足率为-11%,整个DRAM市场的供应不足率为-23%。

价格方面,SK海力士和三星电子都在积极扩展HBM和DRAM的生产能力,预计2024年第二季度DRAM合同价格将环比上涨13-18%,第三季度可能上涨10-15%。摩根士丹利表示:

给予收益预测和价格目标变化,我们将DRAM和NAND的第三季度定价展望分别上调至13%和20%,而之前的预测为DRAM 8%和NAND 10%。客户行为发生了变化,确保供应越来越多地优先于定价,来自中国的订单智能手机oem应该会继续上升到第三季度,PC ODM/ oem将继续确保内存供应,同时为某些大型PC oem保持接近20周的库存。行业产量仍低于需求,减产仍在继续,而需求环境的改善也为24年下半年的价格前景带来了更大的确定性。

行业龙头公司市场份额将进一步增长
AI驱动的内存“超级周期”将为行业战略地位的公司:SK海力士和三星电子带来份额的增长。

大摩将SK海力士目标价提高11%至30万韩元,较目前有约30%的上涨空间,其预计海力士2024年和2025年的每股收益将比市场预期高出59%,海力士2024年第三季度的业绩指引将会更高。

大摩将三星电子目标价提高至10.5万韩元,较目前有36%上涨空间,并指出三星电子获得英伟达的资格在2025年将至关重要。对三星来说,最好的结果是明年获得HBM3E资格,以避免GPU需求出现任何供应中断。最糟糕的情况是,三星可能需要将超过50亿Gb的HBM晶圆产能转向商品DRAM市场。如果三星的HBM晶圆产能转向DRAM,这可能会对DRAM市场供应产生显著影响,增加供应增长。



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